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CMP 拋光液

CMP拋光液是針對不同研磨材料的特性進行獨特的配方設計,拋光過程中,pH值基本保持不變,從而保證拋光速率的穩定,并節約拋光時間。廣泛用于多種材料納米級的化學機械拋光。如:藍寶石材料、硅片、不銹鋼、鋁鎂合金、化合物晶體等的拋光加工。

CMP拋光液

CMP拋光液是針對不同研磨材料的特性進行獨特的配方設計,拋光過程中,pH值基本保持不變,從而保證拋光速率的穩定,并節約拋光時間。廣泛用于多種材料納米級的化學機械拋光。如:藍寶石材料、硅片、不銹鋼、鋁鎂合金、化合物晶體等的拋光加工。


二氧化硅拋光液

二氧化硅膠體粒度細,拋光液穩定性和分散均一性好,對拋光工件表面的損傷層極微,可以得到較高的表面質量,廣泛用于納米材料的高平坦化拋光。通過調整拋光液PH值,提高產物的排除速率和加強化學反應,可以提高二氧化硅拋光液的拋光效率。

應用:硅、鍺、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、氮化鎵、鈮酸鋰、鉭酸鋰、陶瓷、藍寶石、金屬、玻璃等材料的拋光。光纖連接器、硬盤盤片、液晶面板、光學鏡頭、精密模具表面等產品拋光。


產品規格

型號

粒度

顆粒形貌

pH值

粘度

濃度

SOQ-12D

110nm-130nm

球形

10.5±0.5

<20cst

20%

SO-100-PF

90nm-120nm

<10cst

20-50%

SO-80-PF

70nm-90nm

SO-60-PF

50nm-70nm

SO-40-PF

30nm-50nm

SO-20-PF

10nm-30nm

<30cst

10-40%

測試方法

激光粒度儀

SEM/TEM

pH 計

粘度計

比重計

注:除以上規格外,可根據客戶的需求提供定制產品。


產品特點

  • 均勻的球形SiO2 粒子;

  • 去除率高,拋光性能穩定;

  • 精密的拋光質量,Ra<0.2nm、TTV<3μm;

  • 可循環使用多次;

  • 適用于35℃以下的低溫拋光工藝;

  • 可選用中性或弱酸性拋光液對應。


應用領域

  • 碳化硅襯底

  • 藍寶石材料

  • CMP拋光液配合線切割金剛石微粉和砂漿、B?C懸浮液和懸浮劑、單晶多晶類多晶金剛石研磨液和微粉、氧化鋁拋光液、拋光墊等超精密研磨拋光配套耗材與國瑞升平面拋光機。

  • 適用于磷化銦、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等襯底材料,

  • 氮化鋁、氮化鋁、氧化鋁等陶瓷基板散熱材料,

  • 鉭酸鋰、鈮酸鋰、硒化鋅、硫化鋅、氟化鋇、氟化鈣等光學晶體材料。


  • 能夠有效降低被加工晶片的劃傷率,成品合格率高達95%以上,損傷層<5μm,表面光潔效果好,研磨拋光效率能提高2-3倍,耗材使用量較傳統工藝節省30-40%,與海外同類產品相比擁有明顯性價比優勢!

  • (以上數據來源于國瑞升實驗室測試數據,僅做參考,實際情況依據客戶不同而有所變動)


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