精品综合久久久久久888

硅片——半導體行業之基石（2）

來源：中信建投需求向好疊加產業東移，大硅片國產化加速取決于制程要求，8/12 英寸應用場景決定需求結構硅片廠商作為最靠近上游的半導體原材料供應商，絕大多數情況下并不直接關聯終端產品制造商。因此， 芯片、分立器件、傳感器等下游需求的變動對硅片環節的傳導有一定延遲，但對硅片未來趨勢有指導意義。此 外，硅片廠商既有競爭也有合作，由于分工不同（如提供半成品或代工服務等）可能存在同業中上下游關系。芯片作為半

查看詳情

硅片——半導體行業之基石（1）

來源：中信建投硅片——半導體行業之基石硅片是半導體產業最重要的基礎材料硅片是由高純結晶硅為材料制造的圓片，一般作為集成電路和半導體器件的載體。與其他材料相比，結晶 硅的分子結構非常穩定，很少有自由電子產生，因此其導電性極低。硅基半導體材料產量大、易獲取、應用廣， 其應用覆蓋了 90%以上的半導體產品。硅是除了氧元素之外第二豐富的元素，以多樣的形式大量存在于沙子、 巖石、礦物中，相較于其他半導體材料

查看詳情

一種用于銻化鎵單晶片的拋光方法(2)

來源：網絡，僅做知識分享，侵權聯系刪除！【具體實施方式】[0010]以下結合實施例對本發明做進一步說明。[0011]銻化鎵單晶片的加工流程包括研磨、拋光、鈍化和清洗，本發明主要針對其中的拋光步驟。首先去除銻化鎵切割片表面的刀痕，將其研磨至均勻的厚度;隨后將研磨好的銻化鎵單晶片清洗干凈，用石英蠟將銻化鎵單晶片(Φ 50 mm)均勻的粘貼在陶瓷載盤上并壓實，用酒精擦除陶瓷載盤及晶片表面多余的蠟，清洗干

查看詳情

一種用于銻化鎵單晶片的拋光方法

來源：網絡，僅做知識分享，侵權聯系刪除！【專利摘要】本發明公開了一種用于銻化鎵單晶片的拋光方法。粗拋光采用氧化鈰拋光墊，拋光液中含有粒徑為W1的氧化鋁磨料，壓力100~200 g/cm2，轉速10~40 轉/分鐘，流量10?50 mL/min；中拋光采用黑色聚氨酯拋光墊，拋光液中含有粒徑為60?100 nm的二氧化硅納米磨料和氧化劑次氯酸鈉，壓力80?150 g/cm2，轉速60?100轉/分鐘，

查看詳情